Prindi leht
STGD25N40LZAG
IGBT, 25 A, 1.1 V, 125 W, 400 V, TO-252 (DPAK), 3 Pins
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
3 619 Laos
Vajate rohkem?
Ekspresstarne 1–2 tööpäeva jooksul
Tellige enne kella 17:00
Tasuta standardtarne
tellimustele alates 0,00 €
Täpsed tarneajad arvutatakse kassas
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 1,870 € |
| 10+ | 1,200 € |
| 100+ | 1,070 € |
| 500+ | 0,943 € |
| 1000+ | 0,815 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
1,87 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaSTMICROELECTRONICS
Tootja toote nrSTGD25N40LZAG
Tellimiskood2809289
Tehniliste andmete leht
Continuous Collector Current25A
Collector Emitter Saturation Voltage1.1V
Power Dissipation125W
Collector Emitter Voltage Max400V
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised andmed
Continuous Collector Current
25A
Power Dissipation
125W
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Collector Emitter Saturation Voltage
1.1V
Collector Emitter Voltage Max
400V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.00033
Toote jälitatavus