Prindi leht
STGB20NB41LZT4
IGBT, 40 A, 1.3 V, 200 W, 412 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pins
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
196 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 3,270 € |
| 10+ | 2,410 € |
| 100+ | 1,820 € |
| 500+ | 1,740 € |
| 1000+ | 1,650 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
3,27 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaSTMICROELECTRONICS
Tootja toote nrSTGB20NB41LZT4
Tellimiskood2353662
Tehniliste andmete leht
Continuous Collector Current40A
Collector Emitter Saturation Voltage1.3V
Power Dissipation200W
Collector Emitter Voltage Max412V
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Toote ülevaade
The STGB20NB41LZT4 is an internally clamped PowerMESH™ IGBT using the latest high voltage technology based on a patented strip layout. STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBT with outstanding performances. The built-in collector-gate Zener exhibits a very precise active clamping while the gate-emitter Zener supplies an ESD protection.
- Polysilicon gate voltage driven
- Low threshold voltage
- Low on-voltage drop
- Low gate charge
- High current capability
- High voltage clamping
Rakendused
Automotive, Power Management
Tehnilised andmed
Continuous Collector Current
40A
Power Dissipation
200W
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.3V
Collector Emitter Voltage Max
412V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised dokumendid (2)
Seotud tooted
Leiti 2 toodet
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.0001
Toote jälitatavus