Prindi leht
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
1 687 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
Kogus | |
---|---|
1+ | 0,839 € |
10+ | 0,833 € |
100+ | 0,637 € |
500+ | 0,530 € |
1000+ | 0,529 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
0,84 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaSTMICROELECTRONICS
Tootja toote nrSTF6N65M2
Tellimiskood2460388
Tehniliste andmete leht
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source On State Resistance1.2ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation20W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Toote ülevaade
The STF6N65M2 is a MDmesh™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and extremely low gate charge. This Power MOSFET developed using MDmesh™ M2 technology. Due to their strip layout and improved vertical structure, the device exhibits low ON-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters.
- Excellent output capacitance (COSS) profile
- 100% Avalanche tested
Rakendused
Industrial, Power Management
Tehnilised andmed
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4A
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
20W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
1.2ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tehnilised dokumendid (3)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.002