Prindi leht
STB38N65M5
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 30 A, 0.073 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaSTMICROELECTRONICS
Tootja toote nrSTB38N65M5
Tellimiskood2784045
TootevalikMDmesh V
Tehniliste andmete leht
1 409 Laos
Vajate rohkem?
Ekspresstarne 1–2 tööpäeva jooksul
Tellige enne kella 17:00
Tasuta standardtarne
tellimustele alates 0,00 €
Täpsed tarneajad arvutatakse kassas
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 6,890 € |
| 5+ | 5,930 € |
| 10+ | 4,970 € |
| 50+ | 4,500 € |
| 100+ | 4,020 € |
| 250+ | 3,940 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
6,89 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaSTMICROELECTRONICS
Tootja toote nrSTB38N65M5
Tellimiskood2784045
TootevalikMDmesh V
Tehniliste andmete leht
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance0.073ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation190W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh V
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised andmed
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
190W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.073ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh V
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnilised dokumendid (2)
Alternatiivid tootele STB38N65M5
Leiti 1 toodet
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.001
Toote jälitatavus