Prindi leht
SCTW90N65G2V
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 119 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
411 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 29,610 € |
| 5+ | 28,130 € |
| 10+ | 28,120 € |
| 50+ | 24,260 € |
| 100+ | 22,140 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
29,61 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaSTMICROELECTRONICS
Tootja toote nrSCTW90N65G2V
Tellimiskood3387278
Tehniliste andmete leht
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id119A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.018ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max3.2V
Power Dissipation565W
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised andmed
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
119A
Drain Source On State Resistance
0.018ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.2V
Operating Temperature Max
200°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
565W
Product Range
-
Tehnilised dokumendid (3)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.0045