Prindi leht
RF3L05150CB4
RF FET Transistor, 90 V, 150 W, 1 GHz, LBB
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaSTMICROELECTRONICS
Tootja toote nrRF3L05150CB4
Tellimiskood3677411
Teie osa number
Tehniliste andmete leht
72 Laos
Vajate rohkem?
Ekspresstarne 1–2 tööpäeva jooksul
Tellige enne kella 17:00
Tasuta standardtarne
tellimustele alates 0,00 €
Täpsed tarneajad arvutatakse kassas
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 191,09 € |
| 5+ | 175,81 € |
| 10+ | 141,31 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
191,09 € (KM-ta)
tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
Tooteteave
TootjaSTMICROELECTRONICS
Tootja toote nrRF3L05150CB4
Tellimiskood3677411
Tehniliste andmete leht
Drain Source Voltage Vds90V
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation150W
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max1GHz
Transistor Case StyleLBB
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max200°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingFlange
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tehnilised andmed
Drain Source Voltage Vds
90V
Power Dissipation
150W
Operating Frequency Max
1GHz
No. of Pins
5Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
LBB
Operating Temperature Max
200°C
Transistor Mounting
Flange
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (25-Jun-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.009072