Prindi leht
PD85004
RF FET Transistor, 40 V, 2 A, 6 W, 1 GHz, SOT-89
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
Ei toodeta enam
Tooteteave
TootjaSTMICROELECTRONICS
Tootja toote nrPD85004
Tellimiskood2629762
Tehniliste andmete leht
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id2A
Power Dissipation6W
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max1GHz
Transistor Case StyleSOT-89
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Tehnilised andmed
Drain Source Voltage Vds
40V
Power Dissipation
6W
Operating Frequency Max
1GHz
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
2A
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
SOT-89
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Tehnilised dokumendid (3)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000106
Toote jälitatavus