Prindi leht
PD55008-E
RF FET Transistor, LdmoST, N-ch, 40 V, 4 A, 52.8 W, PowerSO-10RF
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaSTMICROELECTRONICS
Tootja toote nrPD55008-E
Tellimiskood2849641
Teie osa number
Tehniliste andmete leht
56 Laos
Vajate rohkem?
Ekspresstarne 1–2 tööpäeva jooksul
Tellige enne kella 17:00
Tasuta standardtarne
tellimustele alates 0,00 €
Täpsed tarneajad arvutatakse kassas
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 16,36 € |
| 5+ | 13,57 € |
| 10+ | 10,77 € |
| 50+ | 10,51 € |
| 100+ | 10,25 € |
| 250+ | 10,05 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
16,36 € (KM-ta)
tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
Tooteteave
TootjaSTMICROELECTRONICS
Tootja toote nrPD55008-E
Tellimiskood2849641
Tehniliste andmete leht
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id4A
Power Dissipation52.8W
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max-
Transistor Case StylePowerSO-10RF
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max165°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tehnilised andmed
Drain Source Voltage Vds
40V
Power Dissipation
52.8W
Operating Frequency Max
-
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Continuous Drain Current Id
4A
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
PowerSO-10RF
Operating Temperature Max
165°C
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (25-Jun-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.02268