Prindi leht
MJ802
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 90 V, 30 A, 200 W, TO-3, Through Hole
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
Ei toodeta enam
Tooteteave
TootjaSTMICROELECTRONICS
Tootja toote nrMJ802
Tellimiskood9946578
Tehniliste andmete leht
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max90V
Continuous Collector Current30A
Power Dissipation200W
Transistor Case StyleTO-3
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins2Pins
Transition Frequency2MHz
DC Current Gain hFE Min100hFE
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Alternatiivid tootele MJ802
Leiti 2 toodet
Tehnilised andmed
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
30A
Transistor Case Style
TO-3
No. of Pins
2Pins
DC Current Gain hFE Min
100hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
90V
Power Dissipation
200W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
2MHz
Operating Temperature Max
200°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Tehnilised dokumendid (1)
Seotud tooted
Leiti 1 toodet
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Y-Ex
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Vajab kinnitamist
Väga ohtlik aine:No SVHC (17-Dec-2015)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.0115