Prindi leht
BUF420M
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 450 V, 30 A, 275 W, TO-3, Through Hole
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
Ei toodeta enam
Tooteteave
TootjaSTMICROELECTRONICS
Tootja toote nrBUF420M
Tellimiskood1467919
Tehniliste andmete leht
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max450V
Continuous Collector Current30A
Power Dissipation275W
Transistor Case StyleTO-3
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins2Pins
Transition Frequency-
DC Current Gain hFE Min3hFE
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
Qualification-
Tehnilised andmed
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
30A
Transistor Case Style
TO-3
No. of Pins
2Pins
DC Current Gain hFE Min
3hFE
Product Range
-
Collector Emitter Voltage Max
450V
Power Dissipation
275W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
-
Operating Temperature Max
200°C
Qualification
-
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Vajab kinnitamist
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.36