Prindi leht
BD242B
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 80 V, 3 A, 40 W, TO-220, Through Hole
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaSTMICROELECTRONICS
Tootja toote nrBD242B
Tellimiskood2849624
Teie osa number
Tehniliste andmete leht
3 339 Laos
Vajate rohkem?
Ekspresstarne 1–2 tööpäeva jooksul
Tellige enne kella 17:00
Tasuta standardtarne
tellimustele alates 0,00 €
Täpsed tarneajad arvutatakse kassas
| Kogus | |
|---|---|
| 5+ | 0,857 € |
| 10+ | 0,610 € |
| 100+ | 0,398 € |
| 500+ | 0,312 € |
| 1000+ | 0,311 € |
| 5000+ | 0,205 € |
Hind:Each
Minimaalne: 5
Mitmekordne: 5
4,28 € (KM-ta)
tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
Tooteteave
TootjaSTMICROELECTRONICS
Tootja toote nrBD242B
Tellimiskood2849624
Tehniliste andmete leht
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max80V
Continuous Collector Current3A
Power Dissipation40W
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency-
DC Current Gain hFE Min10hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tehnilised andmed
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
3A
Transistor Case Style
TO-220
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
10hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
80V
Power Dissipation
40W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (25-Jun-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.002