Prindi leht
A1F25M12W2-F1
Silicon Carbide MOSFET, FourPack, Four N Channel, 50 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, ACEPACK 1
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
15 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 192,500 € |
| 5+ | 177,430 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
192,50 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaSTMICROELECTRONICS
Tootja toote nrA1F25M12W2-F1
Tellimiskood4229252
Tehniliste andmete leht
MOSFET Module ConfigurationFourPack
Channel TypeFour N Channel
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.025ohm
Transistor Case StyleACEPACK 1
No. of Pins22Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.9V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised andmed
MOSFET Module Configuration
FourPack
Continuous Drain Current Id
50A
Drain Source On State Resistance
0.025ohm
No. of Pins
22Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.9V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
Four N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
ACEPACK 1
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
-
Product Range
-
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Philippines
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Philippines
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):25