Prindi leht
GD200HFX65C1S
IGBT Module, Half Bridge, 250 A, 1.45 V, 612 W, 150 °C, Module
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
11 Laos
Vajate rohkem?
Ekspresstarne 1–2 tööpäeva jooksul
Tellige enne kella 17:00
Tasuta standardtarne
tellimustele alates 0,00 €
Täpsed tarneajad arvutatakse kassas
Kogus | |
---|---|
1+ | 50,510 € |
5+ | 46,960 € |
10+ | 42,750 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
50,51 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaSTARPOWER
Tootja toote nrGD200HFX65C1S
Tellimiskood3549241
Tehniliste andmete leht
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current250A
DC Collector Current250A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.45V
Collector Emitter Saturation Voltage1.45V
Power Dissipation612W
Power Dissipation Pd612W
Junction Temperature Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage V(br)ceo650V
Collector Emitter Voltage Max650V
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Toote ülevaade
Hoiatused
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnilised andmed
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
250A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.45V
Power Dissipation Pd
612W
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
650V
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
Continuous Collector Current
250A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.45V
Power Dissipation
612W
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
650V
IGBT Technology
Trench Field Stop
Product Range
-
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:To Be Advised
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.3