Prindi leht
GD100HFU120C2S
IGBT Module, Half Bridge, 200 A, 3.1 V, 1.136 kW, 150 °C, Module
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
78 Laos
Vajate rohkem?
Ekspresstarne 1–2 tööpäeva jooksul
Tellige enne kella 17:00
Tasuta standardtarne
tellimustele alates 0,00 €
Täpsed tarneajad arvutatakse kassas
Saadaval, kuni laos jätkub
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 64,890 € |
| 5+ | 60,330 € |
| 10+ | 54,920 € |
| 50+ | 53,060 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
64,89 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaSTARPOWER
Tootja toote nrGD100HFU120C2S
Tellimiskood3912072
Tehniliste andmete leht
IGBT ConfigurationHalf Bridge
DC Collector Current200A
Continuous Collector Current200A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)3.1V
Collector Emitter Saturation Voltage3.1V
Power Dissipation Pd1.136kW
Power Dissipation1.136kW
Junction Temperature Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
IGBT TechnologyNPT IGBT [Standard]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Tehnilised andmed
IGBT Configuration
Half Bridge
Continuous Collector Current
200A
Collector Emitter Saturation Voltage
3.1V
Power Dissipation
1.136kW
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
DC Collector Current
200A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
3.1V
Power Dissipation Pd
1.136kW
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
IGBT Technology
NPT IGBT [Standard]
Product Range
-
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:To Be Advised
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.3