Prindi leht
DG50X07T2
IGBT, 100 A, 1.45 V, 714 W, 650 V, TO-247, 3 Pins
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaSTARPOWER
Tootja toote nrDG50X07T2
Tellimiskood3790235
TootevalikDOSEMI Trench
Tehniliste andmete leht
15 Laos
30 Varusid saab nüüd reserveerida
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 4,210 € |
| 10+ | 3,680 € |
| 100+ | 2,950 € |
| 500+ | 2,500 € |
| 1000+ | 2,320 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
4,21 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaSTARPOWER
Tootja toote nrDG50X07T2
Tellimiskood3790235
TootevalikDOSEMI Trench
Tehniliste andmete leht
Continuous Collector Current100A
Collector Emitter Saturation Voltage1.45V
Power Dissipation714W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product RangeDOSEMI Trench
MSL-
SVHCTo Be Advised
Tehnilised andmed
Continuous Collector Current
100A
Power Dissipation
714W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
DOSEMI Trench
SVHC
To Be Advised
Collector Emitter Saturation Voltage
1.45V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
-
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:To Be Advised
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.01