Prindi leht
SKM200GB12T4
IGBT Module, Half Bridge, 313 A, 1.8 V, 175 °C, Module
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
6 Laos
12 Varusid saab nüüd reserveerida
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 203,070 € |
| 5+ | 191,400 € |
| 10+ | 178,990 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
203,07 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaSEMIKRON
Tootja toote nrSKM200GB12T4
Tellimiskood2423694
Tehniliste andmete leht
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Transistor PolarityDual N Channel
DC Collector Current313A
Continuous Collector Current313A
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.8V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Junction Temperature Tj Max175°C
Operating Temperature Max175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleModule
No. of Pins7Pins
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 Fast [Trench]
Transistor MountingPanel
Product Range-
Toote ülevaade
The SKM200GB12T4 is a SEMITRANS® 3 fast IGBT Module for use with AC inverter drives and UPS. It features insulated copper base plate using DBC technology (Direct Bonded Copper) and increased power cycling capability.
- Half-bridge switch
- IGBT4 = 4th generation medium fast Trench IGBT (Infineon)
- CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-diode
- Integrated gate resistor
- For higher switching frequencies up to 12kHz
- UL recognized, file number E63532
Rakendused
Power Management, Maintenance & Repair
Tehnilised andmed
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
313A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Power Dissipation Pd
-
Junction Temperature Tj Max
175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
No. of Pins
7Pins
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
Transistor Polarity
Dual N Channel
Continuous Collector Current
313A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.8V
Power Dissipation
-
Operating Temperature Max
175°C
Transistor Case Style
Module
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
IGBT 4 Fast [Trench]
Product Range
-
Tehnilised dokumendid (2)
Alternatiivid tootele SKM200GB12T4
Leiti 3 toodet
Seotud tooted
Leiti 4 toodet
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Slovak Republic
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Slovak Republic
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.18
Toote jälitatavus