Prindi leht
SKM200GB125D
IGBT Module, Half Bridge, 200 A, 3.3 V, 150 °C, Module
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
1 Laos
10 Varusid saab nüüd reserveerida
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 316,410 € |
| 5+ | 315,870 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
316,41 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaSEMIKRON
Tootja toote nrSKM200GB125D
Tellimiskood2423692
Tehniliste andmete leht
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Transistor PolarityDual N Channel
Continuous Collector Current200A
DC Collector Current200A
Collector Emitter Saturation Voltage3.3V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)3.3V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature Tj Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
No. of Pins7Pins
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyNPT IGBT [Ultrafast]
Transistor MountingPanel
Product Range-
Toote ülevaade
The SKM200GB125D is a SEMITRANS® 3 ultrafast IGBT Module for use with inductive heating and resonant inverters up to 100kHz. It features isolated copper base plate using DCB (Direct Copper Bonding) technology and short tail current with low temperature dependence.
- Half-bridge switch
- N channel, homogeneous Si
- Low inductance case
- High short-circuit capability, self limiting to 6 x IC
- Fast and soft inverse CAL diodes
- Large clearance (13mm) and creepage distance (20mm)
Tehnilised andmed
IGBT Configuration
Half Bridge
Continuous Collector Current
200A
Collector Emitter Saturation Voltage
3.3V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
Transistor Polarity
Dual N Channel
DC Collector Current
200A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
3.3V
Power Dissipation
-
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
7Pins
IGBT Technology
NPT IGBT [Ultrafast]
Product Range
-
Tehnilised dokumendid (2)
Alternatiivid tootele SKM200GB125D
Leiti 1 toodet
Seotud tooted
Leiti 4 toodet
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Slovak Republic
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Slovak Republic
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.18
Toote jälitatavus