Prindi leht
SCT3160KW7HRTL
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
893 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 7,900 € |
| 5+ | 7,340 € |
| 10+ | 6,770 € |
| 50+ | 6,230 € |
| 100+ | 5,190 € |
| 250+ | 5,090 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
7,90 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaROHM
Tootja toote nrSCT3160KW7HRTL
Tellimiskood4145325
Tehniliste andmete leht
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id17A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.16ohm
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation100W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Tehnilised andmed
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
17A
Drain Source On State Resistance
0.16ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
100W
Product Range
-
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Y-Ex
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:To Be Advised
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000001
Toote jälitatavus