Prindi leht
SCT3040KRC15
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 55 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
107 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 18,060 € |
| 5+ | 17,700 € |
| 10+ | 17,340 € |
| 50+ | 16,980 € |
| 100+ | 16,620 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
18,06 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaROHM
Tootja toote nrSCT3040KRC15
Tellimiskood4145200
Tehniliste andmete leht
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id55A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.04ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation262W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Tehnilised andmed
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
55A
Drain Source On State Resistance
0.04ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
262W
Product Range
-
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Y-Ex
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:To Be Advised
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000001
Toote jälitatavus