Prindi leht
SCT2280KEC
Silicon Carbide Power MOSFET, N Channel, 14 A, 1.2 kV, 0.28 ohm, 18 V, 4 V
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
Ei toodeta enam
Tooteteave
TootjaROHM
Tootja toote nrSCT2280KEC
Tellimiskood2345467
Tehniliste andmete leht
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id14A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.28ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation108W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Alternatiivid tootele SCT2280KEC
Leiti 1 toodet
Toote ülevaade
The SCT2280KEC is a 1200V N-channel Silicon Power MOSFET with fast switching speed and low on resistance. Suitable for solar inverters, DC/DC converters, SMPS, induction heating and motor drives.
- Fast reverse recovery
- Easy to parallel
- Simple drive requirement
Rakendused
Power Management, Alternative Energy, Motor Drive & Control, HVAC
Tehnilised andmed
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
14A
Drain Source On State Resistance
0.28ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
175°C
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
108W
Product Range
-
Tehnilised dokumendid (2)
Seotud tooted
Leiti 1 toodet
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Philippines
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Philippines
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.006