Prindi leht
SCT2120AFC
Silicon Carbide Power MOSFET, N Channel, 29 A, 650 V, 0.12 ohm, 18 V, 4 V
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
Ei toodeta enam
Tooteteave
TootjaROHM
Tootja toote nrSCT2120AFC
Tellimiskood2469808
Tehniliste andmete leht
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id29A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.12ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation165W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Toote ülevaade
The SCT2120AFC is a N-channel SiC Power MOSFET with fast switching speed and reverse recovery. It is suitable for solar inverters, DC-to-DC converters, SMPS, induction heating and motor drive applications.
- Low ON-resistance
- Easy to parallel
- Simple to drive
Rakendused
Industrial, Power Management, Motor Drive & Control, Thermal Management
Tehnilised andmed
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
29A
Drain Source On State Resistance
0.12ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
175°C
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
165W
Product Range
-
Tehnilised dokumendid (2)
Seotud tooted
Leiti 1 toodet
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Philippines
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Philippines
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.002