Prindi leht
SCH2080KEC
Silicon Carbide Power MOSFET, N Channel, 35 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, 18 V, 4 V
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
Ei toodeta enam
Tooteteave
TootjaROHM
Tootja toote nrSCH2080KEC
Tellimiskood2345464
Tehniliste andmete leht
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation179W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Alternatiivid tootele SCH2080KEC
Leiti 1 toodet
Toote ülevaade
The SCH2080KEC is a N-channel SiC (Silicon Carbide) Planar MOSFET with high voltage resistance, low ON resistance and fast switching speed.
- Fast Reverse Recovery
- Easy to Parallel
Rakendused
Industrial, Audio, Signal Processing, Motor Drive & Control
Tehnilised andmed
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
35A
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
150°C
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
179W
Product Range
-
Tehnilised dokumendid (2)
Seotud tooted
Leiti 2 toodet
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Japan
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Japan
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85359000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.090718
Toote jälitatavus