Prindi leht
RX3R05BBHC16
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 50 A, 0.029 ohm, TO-220AB, Through Hole
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
96 Laos
Vajate rohkem?
Ekspresstarne 1–2 tööpäeva jooksul
Tellige enne kella 17:00
Tasuta standardtarne
tellimustele alates 0,00 €
Täpsed tarneajad arvutatakse kassas
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 2,930 € |
| 10+ | 2,270 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
2,93 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaROHM
Tootja toote nrRX3R05BBHC16
Tellimiskood4145333
Tehniliste andmete leht
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source On State Resistance0.029ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation89W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Tehnilised andmed
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
50A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
89W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.029ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Y-Ex
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:To Be Advised
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000001
Toote jälitatavus