Prindi leht
RGTH50TS65DGC13
IGBT, 50 A, 1.6 V, 174 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pins
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaROHM
Tootja toote nrRGTH50TS65DGC13
Tellimiskood3702518
TootevalikField Stop Trench Series
Tehniliste andmete leht
16 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 5,580 € |
| 10+ | 4,090 € |
| 100+ | 2,960 € |
| 500+ | 2,700 € |
| 1000+ | 2,430 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
5,58 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaROHM
Tootja toote nrRGTH50TS65DGC13
Tellimiskood3702518
TootevalikField Stop Trench Series
Tehniliste andmete leht
Continuous Collector Current50A
Collector Emitter Saturation Voltage1.6V
Power Dissipation174W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-247GE
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product RangeField Stop Trench Series
SVHCLead (23-Jan-2024)
Tehnilised andmed
Continuous Collector Current
50A
Power Dissipation
174W
Transistor Case Style
TO-247GE
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
Field Stop Trench Series
Collector Emitter Saturation Voltage
1.6V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Japan
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Japan
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:Lead (23-Jan-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.002