Prindi leht
RGT8NS65DGTL
IGBT, Field Stop Trench, 8 A, 1.65 V, 65 W, 650 V, TO-263S, 3 Pins
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
964 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 1,740 € |
| 10+ | 1,260 € |
| 100+ | 0,864 € |
| 500+ | 0,690 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
1,74 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaROHM
Tootja toote nrRGT8NS65DGTL
Tellimiskood2519786
Tehniliste andmete leht
Continuous Collector Current8A
Collector Emitter Saturation Voltage1.65V
Power Dissipation65W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-263S
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (23-Jan-2024)
Tehnilised andmed
Continuous Collector Current
8A
Power Dissipation
65W
Transistor Case Style
TO-263S
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Collector Emitter Saturation Voltage
1.65V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Japan
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Japan
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:Lead (23-Jan-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.002
Toote jälitatavus