Prindi leht
RGS60TS65DHRC11
IGBT, 56 A, 1.65 V, 223 W, 650 V, TO-247N, 3 Pins
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
2 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 5,540 € |
| 10+ | 4,490 € |
| 100+ | 3,430 € |
| 500+ | 3,360 € |
| 1000+ | 3,290 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
5,54 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaROHM
Tootja toote nrRGS60TS65DHRC11
Tellimiskood2766350
Tehniliste andmete leht
Continuous Collector Current56A
Collector Emitter Saturation Voltage1.65V
Power Dissipation223W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-247N
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (23-Jan-2024)
Toote ülevaade
Märkused
This product is available for evaluation and design in. Please contact your local ROHM office when planning to approve this device.
Tehnilised andmed
Continuous Collector Current
56A
Power Dissipation
223W
Transistor Case Style
TO-247N
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Collector Emitter Saturation Voltage
1.65V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Thailand
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Thailand
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:Lead (23-Jan-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.00567