Prindi leht
RGC80TSX8RGC11
IGBT, 80 A, 2.2 V, 535 W, 1.8 kV, TO-247N, 3 Pins
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
122 Laos
960 Varusid saab nüüd reserveerida
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 9,410 € |
| 5+ | 9,010 € |
| 10+ | 8,600 € |
| 50+ | 6,050 € |
| 100+ | 5,140 € |
| 250+ | 5,040 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
9,41 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaROHM
Tootja toote nrRGC80TSX8RGC11
Tellimiskood3132306
Tehniliste andmete leht
Continuous Collector Current80A
Collector Emitter Saturation Voltage2.2V
Power Dissipation535W
Collector Emitter Voltage Max1.8kV
Transistor Case StyleTO-247N
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (23-Jan-2024)
Tehnilised andmed
Continuous Collector Current
80A
Power Dissipation
535W
Transistor Case Style
TO-247N
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Collector Emitter Saturation Voltage
2.2V
Collector Emitter Voltage Max
1.8kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Thailand
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Thailand
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:Lead (23-Jan-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.002