Prindi leht
GNP1150TCA-ZE2
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 11 A, 0.15 ohm, 2.7 nC, DFN8080AK, Surface Mount
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaROHM
Tootja toote nrGNP1150TCA-ZE2
Tellimiskood4179927RL
TootevalikEcoGaN Series
Tehniliste andmete leht
3 510 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 100+ | 2,810 € |
| 500+ | 2,260 € |
| 1000+ | 2,210 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 100
Mitmekordne: 1
286,00 € (KM-ta)
Sellele tootele lisatakse ümberkerimise tasu 5,00 €
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaROHM
Tootja toote nrGNP1150TCA-ZE2
Tellimiskood4179927RL
TootevalikEcoGaN Series
Tehniliste andmete leht
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id11A
Drain Source On State Resistance0.15ohm
Typical Gate Charge2.7nC
Transistor Case StyleDFN8080AK
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product RangeEcoGaN Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Tehnilised andmed
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.15ohm
Transistor Case Style
DFN8080AK
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
11A
Typical Gate Charge
2.7nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
EcoGaN Series
SVHC
To Be Advised
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Taiwan
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Taiwan
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Y-Ex
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:To Be Advised
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000001