Prindi leht
GNP1070TC-ZE2
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 5.2 nC, DFN8080K, Surface Mount
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
120 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 10+ | 6,940 € |
| 50+ | 6,350 € |
| 100+ | 5,760 € |
| 250+ | 5,640 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 10
Mitmekordne: 1
74,40 € (KM-ta)
Sellele tootele lisatakse ümberkerimise tasu 5,00 €
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaROHM
Tootja toote nrGNP1070TC-ZE2
Tellimiskood4172944RL
Tehniliste andmete leht
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source On State Resistance0.07ohm
Typical Gate Charge5.2nC
Transistor Case StyleDFN8080K
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Tehnilised andmed
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.07ohm
Transistor Case Style
DFN8080K
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
20A
Typical Gate Charge
5.2nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Taiwan
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Taiwan
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Y-Ex
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:To Be Advised
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000012