Prindi leht
BSM120D12P2C005
Silicon Carbide Bipolar (BJT) Single Transistor, N Channel, 120 A, 1.2 kV, 2.7 V
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
Saadaval tellimiseks
Tootja standardne tarneaeg: 23 nädal(at)
Teavitage mind, kui toode on uuesti laos
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 350,970 € |
| 5+ | 343,950 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
350,97 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaROHM
Tootja toote nrBSM120D12P2C005
Tellimiskood2345472
Tehniliste andmete leht
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance-
Transistor Case StyleModule
No. of Pins10Pins
Rds(on) Test Voltage-
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation780W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Toote ülevaade
The BSM120D12P2C005 is a N-channel SiC Power Module designed for use with inverter, converter, photovoltaic, wind power generation and induction heating equipment applications. The device offers low surge, low switching loss and high-speed switching possible, reduced temperature dependence.
Rakendused
Industrial, Motor Drive & Control, Alternative Energy, Power Management, Medical
Tehnilised andmed
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
120A
Drain Source On State Resistance
-
No. of Pins
10Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
-
Power Dissipation
780W
Product Range
-
Tehnilised dokumendid (3)
Seotud tooted
Leiti 1 toodet
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Japan
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Japan
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85359000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:Lead (23-Jan-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.279413
Toote jälitatavus