Prindi leht
AG502ELD3HRBTL
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 48 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
90 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 100+ | 0,910 € |
| 500+ | 0,726 € |
| 1000+ | 0,667 € |
| 5000+ | 0,593 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 100
Mitmekordne: 1
96,00 € (KM-ta)
Sellele tootele lisatakse ümberkerimise tasu 5,00 €
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaROHM
Tootja toote nrAG502ELD3HRBTL
Tellimiskood4633487RL
Tehniliste andmete leht
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id48A
Drain Source On State Resistance0.03ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation77W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Tehnilised andmed
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.03ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Continuous Drain Current Id
48A
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
77W
Operating Temperature Max
175°C
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Japan
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Japan
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Y-Ex
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.00001
Toote jälitatavus