Prindi leht
2SCR512RHZGTL
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 30 V, 2 A, 500 mW, SOT-346T, Surface Mount
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
2 835 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 100+ | 0,298 € |
| 500+ | 0,230 € |
| 1000+ | 0,214 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 100
Mitmekordne: 5
34,80 € (KM-ta)
Sellele tootele lisatakse ümberkerimise tasu 5,00 €
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaROHM
Tootja toote nr2SCR512RHZGTL
Tellimiskood4158097RL
Tehniliste andmete leht
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max30V
Continuous Collector Current2A
Power Dissipation500mW
Transistor Case StyleSOT-346T
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency320MHz
DC Current Gain hFE Min200hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
Tehnilised andmed
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
2A
Transistor Case Style
SOT-346T
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
200hFE
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Collector Emitter Voltage Max
30V
Power Dissipation
500mW
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
320MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Thailand
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Thailand
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Y-Ex
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:To Be Advised
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000001
Toote jälitatavus