Prindi leht
2SCR375PHZGT100Q
Transistor, Bipolar, NPN, 120 V, 1.5 A, SOT-89, AEC-Q101, 120 hFE
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
835 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 1,130 € |
| 10+ | 0,715 € |
| 100+ | 0,475 € |
| 500+ | 0,341 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
1,13 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaROHM
Tootja toote nr2SCR375PHZGT100Q
Tellimiskood3605675
Tehniliste andmete leht
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max120V
Continuous Collector Current1.5A
Power Dissipation2W
Transistor Case StyleSOT-89
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency200MHz
DC Current Gain hFE Min120hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (23-Jan-2024)
Tehnilised andmed
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
1.5A
Transistor Case Style
SOT-89
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
120hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
120V
Power Dissipation
2W
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
200MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Japan
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Japan
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:Lead (23-Jan-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000454
Toote jälitatavus