Prindi leht
QEB373
Infrared Emitter, 875 nm, 12 °, T-3/4 (1.8mm), 16 mW/Sr, 800 ns, 800 ns
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
Saadaval tellimiseks
Tootja standardne tarneaeg: 22 nädal(at)
| Kogus | |
|---|---|
| 1000+ | 0,261 € |
Hind:Pack of 1
Minimaalne: 1000
Mitmekordne: 1000
261,00 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaONSEMI
Tootja toote nrQEB373
Tellimiskood3617611
Tehniliste andmete leht
Peak Wavelength875nm
Angle of Half Intensity12°
Diode Case StyleT-3/4 (1.8mm)
Radiant Intensity (Ie)16mW/Sr
Rise Time800ns
Fall Time tf800ns
Forward Current If(AV)50mA
Forward Voltage VF Max1.7V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max100°C
Automotive Qualification Standard-
Product Range-
MSLMSL 2 - 1 year
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Tehnilised andmed
Peak Wavelength
875nm
Diode Case Style
T-3/4 (1.8mm)
Rise Time
800ns
Forward Current If(AV)
50mA
Operating Temperature Min
-40°C
Automotive Qualification Standard
-
MSL
MSL 2 - 1 year
Angle of Half Intensity
12°
Radiant Intensity (Ie)
16mW/Sr
Fall Time tf
800ns
Forward Voltage VF Max
1.7V
Operating Temperature Max
100°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85414090
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (23-Jan-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.1
Toote jälitatavus