Prindi leht
NXH350N100H4Q2F2P1G
IGBT Module, Si/SiC Hybrid Module, EliteSiC, Four Pack, 303 A, 1.63 V, 592 W, 175 °C, Module
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaONSEMI
Tootja toote nrNXH350N100H4Q2F2P1G
Tellimiskood3929806
TootevalikEliteSiC Series
Tehniliste andmete leht
Saadaval tellimiseks
Tootja standardne tarneaeg: 14 nädal(at)
Teavitage mind, kui toode on uuesti laos
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 147,170 € |
| 5+ | 145,990 € |
| 10+ | 144,810 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
147,17 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaONSEMI
Tootja toote nrNXH350N100H4Q2F2P1G
Tellimiskood3929806
TootevalikEliteSiC Series
Tehniliste andmete leht
IGBT ConfigurationFour Pack
DC Collector Current303A
Continuous Collector Current303A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.63V
Collector Emitter Saturation Voltage1.63V
Power Dissipation Pd592W
Power Dissipation592W
Operating Temperature Max175°C
Junction Temperature Tj Max175°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage Max1kV
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1kV
IGBT TechnologyIGBT [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tehnilised andmed
IGBT Configuration
Four Pack
Continuous Collector Current
303A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.63V
Power Dissipation
592W
Junction Temperature Tj Max
175°C
IGBT Termination
Press Fit
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
DC Collector Current
303A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.63V
Power Dissipation Pd
592W
Operating Temperature Max
175°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1kV
IGBT Technology
IGBT [Trench/Field Stop]
Product Range
EliteSiC Series
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (27-Jun-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.09
Toote jälitatavus