Prindi leht
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaONSEMI
Tootja toote nrNXH200B100H4F2SG
Tellimiskood3929803
TootevalikEliteSiC Series
Tehniliste andmete leht
10 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
Kogus | |
---|---|
1+ | 107,720 € |
5+ | 103,300 € |
10+ | 98,870 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
107,72 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaONSEMI
Tootja toote nrNXH200B100H4F2SG
Tellimiskood3929803
TootevalikEliteSiC Series
Tehniliste andmete leht
IGBT ConfigurationPIM
Continuous Collector Current100A
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Power Dissipation93W
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationSolder Pin
Collector Emitter Voltage Max1kV
IGBT TechnologyIGBT 6 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Tehnilised andmed
IGBT Configuration
PIM
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Solder Pin
IGBT Technology
IGBT 6 [Trench/Field Stop]
Product Range
EliteSiC Series
Continuous Collector Current
100A
Power Dissipation
93W
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (15-Jan-2018)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.09