Prindi leht
NVBG022N120M3S
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 58 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-263HV (D2PAK)
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaONSEMI
Tootja toote nrNVBG022N120M3S
Tellimiskood4036823RL
TootevalikEliteSiC Series
Tehniliste andmete leht
612 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 10+ | 15,120 € |
| 50+ | 14,840 € |
| 100+ | 14,550 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 10
Mitmekordne: 1
156,20 € (KM-ta)
Sellele tootele lisatakse ümberkerimise tasu 5,00 €
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaONSEMI
Tootja toote nrNVBG022N120M3S
Tellimiskood4036823RL
TootevalikEliteSiC Series
Tehniliste andmete leht
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id58A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.022ohm
On Resistance Rds(on)0.022ohm
Transistor Case StyleTO-263HV (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.72V
Power Dissipation234W
Power Dissipation Pd234W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead (27-Jun-2024)
Tehnilised andmed
MOSFET Module Configuration
Single
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
On Resistance Rds(on)
0.022ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.72V
Power Dissipation Pd
234W
Product Range
EliteSiC Series
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
58A
Drain Source On State Resistance
0.022ohm
Transistor Case Style
TO-263HV (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
234W
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tehnilised dokumendid (1)
Seotud tooted
Leiti 1 toodet
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:Lead (27-Jun-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.0007
Toote jälitatavus