Prindi leht
NTD25P03LT4G
Power MOSFET, Small Signal, P Channel, 30 V, 25 A, 0.072 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
Saadaval tellimiseks
Tootja standardne tarneaeg: 20 nädal(at)
Teavitage mind, kui toode on uuesti laos
| Kogus | |
|---|---|
| 2500+ | 0,346 € |
| 7500+ | 0,330 € |
Hind:Each (Supplied on Full Reel)
Minimaalne: 2500
Mitmekordne: 2500
865,00 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaONSEMI
Tootja toote nrNTD25P03LT4G
Tellimiskood2442188
Tehniliste andmete leht
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id25A
Drain Source On State Resistance0.072ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation75W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (27-Jun-2024)
Toote ülevaade
The NTD25P03LT4G is a -30V P-channel Power MOSFET designed for low voltage, high speed switching applications and to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The source to drain diode recovery time is comparable to a discrete fast recovery diode.
- AEC-Q101 qualified
Rakendused
Motor Drive & Control, Power Management
Tehnilised andmed
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
25A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
5V
Power Dissipation
75W
Operating Temperature Max
150°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.072ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tehnilised dokumendid (2)
Alternatiivid tootele NTD25P03LT4G
Leiti 1 toodet
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Y-Ex
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:Lead (27-Jun-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000456
Toote jälitatavus