Prindi leht
MMBFJ175LT1G
JFET Transistor, 30 V, 60 mA, 6 V, SOT-23, 3 Pin, 150 °C
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
3 000 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 3000+ | 0,0878 € |
| 9000+ | 0,0735 € |
Hind:Each (Supplied on Full Reel)
Minimaalne: 3000
Mitmekordne: 3000
263,40 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaONSEMI
Tootja toote nrMMBFJ175LT1G
Tellimiskood2442048
Tehniliste andmete leht
Gate Source Breakdown Voltage Max30V
Zero Gate Voltage Drain Current Max60mA
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min7mA
Gate Source Cutoff Voltage Max6V
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins3 Pin
Transistor TypeJFET
Operating Temperature Max150°C
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tehnilised andmed
Gate Source Breakdown Voltage Max
30V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min
7mA
Transistor Case Style
SOT-23
Transistor Type
JFET
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Zero Gate Voltage Drain Current Max
60mA
Gate Source Cutoff Voltage Max
6V
No. of Pins
3 Pin
Operating Temperature Max
150°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnilised dokumendid (2)
Alternatiivid tootele MMBFJ175LT1G
Leiti 2 toodet
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (27-Jun-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.001
Toote jälitatavus