Prindi leht
MMBFJ108
JFET Transistor, JFET, -25 V, 80 mA, -10 V, SOT-23, 3 Pin, 150 °C
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
390 000 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 3000+ | 0,254 € |
| 9000+ | 0,222 € |
| 24000+ | 0,184 € |
| 45000+ | 0,165 € |
Hind:Each (Supplied on Full Reel)
Minimaalne: 3000
Mitmekordne: 3000
762,00 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaONSEMI
Tootja toote nrMMBFJ108
Tellimiskood4319662
Tehniliste andmete leht
Gate Source Breakdown Voltage Max-25V
Zero Gate Voltage Drain Current Max80mA
Gate Source Cutoff Voltage Max-10V
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tehnilised andmed
Gate Source Breakdown Voltage Max
-25V
Gate Source Cutoff Voltage Max
-10V
No. of Pins
3 Pin
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Zero Gate Voltage Drain Current Max
80mA
Transistor Case Style
SOT-23
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Qualification
-
Tehnilised dokumendid (2)
Alternatiivid tootele MMBFJ108
Leiti 2 toodet
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Philippines
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Philippines
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (27-Jun-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.00003