Prindi leht
HGTD1N120BNS9A
IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pins
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
Saadaval tellimiseks
Tootja standardne tarneaeg: 10 nädal(at)
Teavitage mind, kui toode on uuesti laos
| Kogus | |
|---|---|
| 2500+ | 0,558 € |
| 7500+ | 0,557 € |
Hind:Each (Supplied on Full Reel)
Minimaalne: 2500
Mitmekordne: 2500
1 395,00 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaONSEMI
Tootja toote nrHGTD1N120BNS9A
Tellimiskood4338955
Tehniliste andmete leht
Continuous Collector Current5.3A
Collector Emitter Saturation Voltage2.5V
Power Dissipation60W
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor Case StyleTO-252AA
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Tehnilised andmed
Continuous Collector Current
5.3A
Power Dissipation
60W
Transistor Case Style
TO-252AA
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.5V
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tehnilised dokumendid (3)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Y-Ex
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:Lead (27-Jun-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.00026
Toote jälitatavus