Prindi leht
FGD3N60LSDTM
IGBT, 6 A, 1.8 V, 40 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pins
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
2 260 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
Saadaval, kuni laos jätkub
| Kogus | |
|---|---|
| 500+ | 0,567 € |
| 1000+ | 0,556 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 500
Mitmekordne: 1
288,50 € (KM-ta)
Sellele tootele lisatakse ümberkerimise tasu 5,00 €
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaONSEMI
Tootja toote nrFGD3N60LSDTM
Tellimiskood3368680RL
Tehniliste andmete leht
Continuous Collector Current6A
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Power Dissipation40W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Tehnilised andmed
Continuous Collector Current
6A
Power Dissipation
40W
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Tehnilised dokumendid (4)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Y-Ex
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (15-Jan-2018)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.0004
Toote jälitatavus