Prindi leht
FDC638P
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 4.5 A, 0.048 ohm, SuperSOT, Surface Mount
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
41 656 Laos
Vajate rohkem?
Ekspresstarne 1–2 tööpäeva jooksul
Tellige enne kella 17:00
Tasuta standardtarne
tellimustele alates 0,00 €
Täpsed tarneajad arvutatakse kassas
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 0,537 € |
| 10+ | 0,484 € |
| 100+ | 0,374 € |
| 500+ | 0,275 € |
| 1000+ | 0,267 € |
| 5000+ | 0,258 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
0,54 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaONSEMI
Tootja toote nrFDC638P
Tellimiskood9846433
Tehniliste andmete leht
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id4.5A
Drain Source On State Resistance0.048ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max800mV
Power Dissipation1.6W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Toote ülevaade
The FDC638P is a 2.5V specified P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It is well suited for battery power, load switching, battery charging circuits and DC-to-DC conversion applications.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- 10nC typical low gate charge
Hoiatused
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnilised andmed
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
4.5A
Transistor Case Style
SuperSOT
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.048ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
800mV
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnilised dokumendid (3)
Alternatiivid tootele FDC638P
Leiti 4 toodet
Seotud tooted
Leiti 2 toodet
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Philippines
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Philippines
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (27-Jun-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.004536