Prindi leht
SMMBFJ177LT1G
JFET Transistor, 30 V, 20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pin, 150 °C
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
1 730 Laos
Vajate rohkem?
Ekspresstarne 1–2 tööpäeva jooksul
Tellige enne kella 17:00
Tasuta standardtarne
tellimustele alates 0,00 €
Täpsed tarneajad arvutatakse kassas
| Kogus | |
|---|---|
| 5+ | 0,268 € |
| 50+ | 0,165 € |
| 100+ | 0,131 € |
| 500+ | 0,124 € |
| 1500+ | 0,119 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 5
Mitmekordne: 5
1,34 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaONSEMI
Tootja toote nrSMMBFJ177LT1G
Tellimiskood3368708
Tehniliste andmete leht
Gate Source Breakdown Voltage Max30V
Zero Gate Voltage Drain Current Max20mA
Gate Source Cutoff Voltage Max2.5V
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeP Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tehnilised andmed
Gate Source Breakdown Voltage Max
30V
Gate Source Cutoff Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3 Pin
Channel Type
P Channel
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Zero Gate Voltage Drain Current Max
20mA
Transistor Case Style
SOT-23
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (27-Jun-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.0004
Toote jälitatavus