Prindi leht
QSE113
Phototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pins, Radial Leaded
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
3 927 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 0,858 € |
| 10+ | 0,598 € |
| 25+ | 0,545 € |
| 50+ | 0,493 € |
| 100+ | 0,440 € |
| 500+ | 0,377 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
0,86 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaONSEMI
Tootja toote nrQSE113
Tellimiskood1021147
Tehniliste andmete leht
Wavelength Typ880nm
Viewing Angle25°
Power Consumption100mW
No. of Pins2Pins
Transistor Case StyleRadial Leaded
Product Range-
Automotive Qualification Standard-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Toote ülevaade
The QSE113 is a NPN silicon infrared phototransistor encapsulated in black plastic sidelooker package.
- Daylight filter
- High sensitivity
- Blue dot marking on the top side
- Power dissipation of 100mW
- Operating temperature range from -40°C to 100°C
- Peak sensitivity of 880nm
Tehnilised andmed
Wavelength Typ
880nm
Power Consumption
100mW
Transistor Case Style
Radial Leaded
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Viewing Angle
25°
No. of Pins
2Pins
Product Range
-
MSL
-
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (27-Jun-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000159
Toote jälitatavus