Prindi leht
QED223A4R0
Infrared Emitter, 890 nm, 15 °, T-1 3/4 (5mm), 25 mW/Sr, 900 ns, 800 ns
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
1 281 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 50+ | 0,367 € |
| 200+ | 0,309 € |
| 500+ | 0,256 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 100
Mitmekordne: 1
41,70 € (KM-ta)
Sellele tootele lisatakse ümberkerimise tasu 5,00 €
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaONSEMI
Tootja toote nrQED223A4R0
Tellimiskood3368603RL
Tehniliste andmete leht
Peak Wavelength890nm
Angle of Half Intensity15°
Diode Case StyleT-1 3/4 (5mm)
Radiant Intensity (Ie)25mW/Sr
Rise Time900ns
Fall Time tf800ns
Forward Current If(AV)100mA
Forward Voltage VF Max1.7V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max100°C
Automotive Qualification Standard-
Product Range-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tehnilised andmed
Peak Wavelength
890nm
Diode Case Style
T-1 3/4 (5mm)
Rise Time
900ns
Forward Current If(AV)
100mA
Operating Temperature Min
-40°C
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Angle of Half Intensity
15°
Radiant Intensity (Ie)
25mW/Sr
Fall Time tf
800ns
Forward Voltage VF Max
1.7V
Operating Temperature Max
100°C
Product Range
-
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Thailand
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Thailand
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (27-Jun-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.0004
Toote jälitatavus