Prindi leht
QEB363
Infrared Emitter, 940 nm, 12 °, T-3/4 (1.8mm), 8 mW/Sr, 1 µs, 1 µs
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
Saadaval tellimiseks
Tootja standardne tarneaeg: 22 nädal(at)
| Kogus | |
|---|---|
| 1000+ | 0,207 € |
Hind:Pack of 1
Minimaalne: 1000
Mitmekordne: 1000
207,00 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaONSEMI
Tootja toote nrQEB363
Tellimiskood3617606
Tehniliste andmete leht
Peak Wavelength940nm
Angle of Half Intensity12°
Diode Case StyleT-3/4 (1.8mm)
Radiant Intensity (Ie)8mW/Sr
Rise Time1µs
Fall Time tf1µs
Forward Current If(AV)100mA
Forward Voltage VF Max1.6V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max100°C
Automotive Qualification Standard-
Product Range-
MSLMSL 3 - 168 hours
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Tehnilised andmed
Peak Wavelength
940nm
Diode Case Style
T-3/4 (1.8mm)
Rise Time
1µs
Forward Current If(AV)
100mA
Operating Temperature Min
-40°C
Automotive Qualification Standard
-
MSL
MSL 3 - 168 hours
Angle of Half Intensity
12°
Radiant Intensity (Ie)
8mW/Sr
Fall Time tf
1µs
Forward Voltage VF Max
1.6V
Operating Temperature Max
100°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85414090
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (23-Jan-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.1
Toote jälitatavus