Prindi leht
NXV08V110DB1
MOSFET Transistor, 80 V, 1700 µohm, 10 V, 4 V
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
Saadaval tellimiseks
Tootja standardne tarneaeg: 12 nädal(at)
| Kogus | |
|---|---|
| 44+ | 19,860 € |
Hind:Tube of 1
Minimaalne: 44
Mitmekordne: 44
873,84 € (KM-ta)
tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
Tooteteave
TootjaONSEMI
Tootja toote nrNXV08V110DB1
Tellimiskood3617528
Tehniliste andmete leht
Channel Type-
Continuous Drain Current Id-
Drain Source Voltage Vds80V
Drain Source On State Resistance1700µohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Tehnilised andmed
Channel Type
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
-
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
-
Drain Source On State Resistance
1700µohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (15-Jan-2018)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.1
Toote jälitatavus