Prindi leht
NVMFS5C638NLT1G
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 133 A, 0.003 ohm, DFN, Surface Mount
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
2 076 Laos
Vajate rohkem?
.
.
Tasuta standardtarne
tellimustele alates 0,00 €
Täpsed tarneajad arvutatakse kassas
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 2,910 € |
| 10+ | 1,920 € |
| 100+ | 1,350 € |
| 500+ | 1,140 € |
| 1000+ | 1,040 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
2,91 € (KM-ta)
tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
Tooteteave
TootjaONSEMI
Tootja toote nrNVMFS5C638NLT1G
Tellimiskood2895722
Tehniliste andmete leht
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id133A
Drain Source On State Resistance0.003ohm
Transistor Case StyleDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation100W
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
Tehnilised andmed
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
133A
Transistor Case Style
DFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
100W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.003ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
5Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Y-Ex
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:Lead (27-Jun-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.0001
Toote jälitatavus