Prindi leht
NTMFS6H818NLT1G
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 135 A, 2700 µohm, DFN, Surface Mount
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
Saadaval tellimiseks
Tootja standardne tarneaeg: 21 nädal(at)
| Kogus | |
|---|---|
| 1500+ | 0,734 € |
Hind:Each (Supplied on Full Reel)
Minimaalne: 1500
Mitmekordne: 1500
1 101,00 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaONSEMI
Tootja toote nrNTMFS6H818NLT1G
Tellimiskood3616500
Tehniliste andmete leht
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id135A
Drain Source On State Resistance2700µohm
Transistor Case StyleDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation140W
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Tehnilised andmed
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
135A
Transistor Case Style
DFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
140W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
2700µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
5Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Y-Ex
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:Lead (27-Jun-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.1
Toote jälitatavus